Zobrazeno 1 - 10
of 96
pro vyhledávání: '"Thermal vacuum evaporation"'
Publikováno v:
In Optical Materials February 2024 148
Publikováno v:
Recent Advances in Natural Sciences, Vol 1, Iss 2 (2023)
SnO2 thin films were produced utilizing the Thermal Vacuum Evaporation method on quartz substrates. Three samples—FAA, FV-200, and FA-400—were made and labelled. While samples of the FV-200 and FA-400 were annealed at 200 ◦C and 400 ◦C, respe
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7570d23ccaa545a398d4d727ebc7bd36
Autor:
Md. Abu Sayeed, Hasan Khaled Rouf
Publikováno v:
Journal of Materials Research and Technology, Vol 15, Iss , Pp 3409-3425 (2021)
Undoped Tin Oxide (SnO2) and 4, 8, 14 at.% Aluminum (Al) doped SnO2 thin films (hereafter Sn1-xO2:Alx) were fabricated by thermal vacuum evaporation and stacked layer method, respectively. Following this, a detailed investigation of the impacts of Al
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a6ac2d99e41c466db9796658381a1cb8
Publikováno v:
Materials Today Advances, Vol 14, Iss , Pp 100232- (2022)
Metal halide perovskites have been studied in semiconductor fields such as light-emitting diodes (LEDs) and solar cells owing to their simple manufacturing, high optoelectronic performance, and low manufacturing cost. In this regard, spin-coating met
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0185d98de0f5420bac3eb12268e5f851
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
T. Su. Chu
Publikováno v:
Известия высших учебных заведений России: Радиоэлектроника, Vol 0, Iss 6, Pp 22-31 (2016)
The various thin film growth mechanisms during thermal vacuum evaporation at atomic level are considered under different condition. Which factors and how influence on the quality of obtained thin films was demonstrated. The thin film’s growth proce
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f36969b5e8ea4f4bbc4e43df74cd6b7e
Autor:
H. A. Othman, Abd El-Hady B. Kashyout, Lobna M. Sharaf El-Deen, Mohamed A. Nawwar, Magdy S. Abo Ghazala
Publikováno v:
ACS Omega, Vol 5, Iss 42, Pp 27633-27644 (2020)
ACS Omega
ACS Omega
Metal-induced crystallization of amorphous silicon is a promising technique for developing high-quality and cheap optoelectronic devices. Many attempts tried to enhance the crystal growth of polycrystalline silicon via aluminum-induced crystallizatio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::44a3601bb59427c2ec1db49a38d8a608
https://doi.org/10.1021/acsomega.0c04206
https://doi.org/10.1021/acsomega.0c04206
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.