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pro vyhledávání: '"Thermal TCAD simulations"'
Autor:
D'Esposito, Rosario
Ce travail de thèse présente une étude concernant la caractérisation des effets électrothermiques dans les transistors bipolaires à hétérojonction (HBT) en SiGe. Lors de ces travaux, deux procédés technologiques BiCMOS à l’état de l’a
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2016BORD0147/document
Autor:
d'Esposito, Rosario
This work is focused on the characterization of electro-thermal effects in advanced SiGe hetero-junction bipolar transistors (HBTs); two state of the art BiCMOS processes have been analyzed: the B11HFC from Infineon Technologies (130nm) and the B55 f
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::9df4c0df08c563b4da3c954bcc6915b5
http://hdl.handle.net/20.500.12278/4987
http://hdl.handle.net/20.500.12278/4987