Výsledky vyhledávání

Effect Of AlN Spacer In The Layer Structure On High Rf Performance GaN-Based HEMTs On Low Resistivity Silicon At K-Band Application

Autor: Eblabla, Abdalla, Li, X., Thayne, Ian, Wallis, David J., Guiney, Ivor, Elgaid, K.

Publikováno v: 11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11)

AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) grown on Si substrate are emerging as an attractive devices for many RF applications. This is due to lower circuits realization cost and multifunction chips integration. In this study we investigat

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::31cf881ccc96fadb8bf4c09bb7548124
https://eprints.gla.ac.uk/123077/1/123077.pdf

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání