Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Tham, A.T."'
Autor:
Petter, K., Eyidi, D., Stöger-Pollach, M., Sieber, I., Schubert-Bischoff, P., Rau, B., Tham, A.T., Schattschneider, P., Gall, S., Lips, K., Fuhs, W.
Publikováno v:
In Physica B: Physics of Condensed Matter 2006 376:117-121
Autor:
Petter, K., Eyidi, D., Stöger Pollach, M., Sieber, I., Schubert Bischoff, P., Rau, B., Tham, A.T., Schattschneider, P., Gall, S., Lips, K., Fuhs, W.
We present an investigation of line defects in epitaxially grown silicon layers using Secco defect etching and transmission electron microscopy TEM . 1 m thick layers were deposited onto Si 100 wafers at a substrate temperature of 560 C using electro
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3680::26272883fa427ac3e924d9e0bb4c845f
http://www.helmholtz-berlin.de/pubbin/oai_publication?VT=1&ID=17130
http://www.helmholtz-berlin.de/pubbin/oai_publication?VT=1&ID=17130
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.