Depth inhomogeneity of porous silicon layers.

Autor: Thönissen, M., Billat, S., Krüger, M., Lüth, H., Berger, M. G., Frotscher, U., Rossow, U.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/1/1996, Vol. 80 Issue 5, p2990, 4p, 5 Graphs

Spektroskopische Charakterisierung von Schichten und Schichtsystemen aus porösem Silicium im Hinblick auf optische und optoelektronische Anwendungen

Autor: Thönissen, M.

Publikováno v: Jülich : Forschungszentrum, Zentralbibliothek, Berichte des Forschungszentrums Jülich 3628, (1999). = Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1999

Investigations were made on both, single layers and layer systems of porous silicon, using optical spectroscopy, gravimetry, diffractrometry and topographic methods, and REM and TEM aswell. Main emphasis of the investigations was concentrated to the

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3364::4a6dd8d88e9fc4e5da4ac6c4bb11623f
https://hdl.handle.net/2128/4428

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

XPS investigations of electrochemically modified porous silicon layers.

Autor: Jeske, M., Jung, K. G., Schultze, J. W., Thönissen, M., Münder, H.

Publikováno v: Surface & Interface Analysis: SIA; 1994, Vol. 22 Issue 1-12, p363-366, 4p