Zobrazeno 1 - 10
of 92
pro vyhledávání: '"Teys, P."'
Publikováno v:
Surface Science, Volume 565, Issue 1, 1 September 2004, Pages 37-44
The ordered arrays of Ag nanowires and nanodots have been grown in ultra-high vacuum on the Si(5 5 7) surface containing regular steps of three bilayer height. Formation of Ag nanostructures have been studied by scanning tunneling microscopy, low ene
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1903.07081
Publikováno v:
Surface Science, Volume 600, Issue 21, 1 November 2006, Pages 4878-4882
The vicinal Si(111) surface, inclined towards the [-1-12] direction, was investigated by scanning tunnelling microscopy and spot profile analysing low energy electron diffraction. It has been established that the surface, consisting of regularly spac
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1903.06933
Autor:
Zhachuk, Ruslan, Teys, Sergey
Publikováno v:
Physical Review B 95, 041412(R) (2017)
The microscopic structure of the high-index Si$(331)-(12\times1)$ surface is investigated combining scanning tunneling microscopy with ab initio calculations. We present a structural model of the Si(331) surface, employing a reconstruction element co
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1901.01511
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Si(111) and Ge(111) surface formation energies were calculated using density functional theory for various biaxial strain states ranging from -0.04 to 0.04, and for a wide set of experimentally observed surface reconstructions: 3x3, 5x5, 7x7 dimer-ad
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1302.1050
Autor:
Vladimir Mansurov, Timur Malin, Sergey Teys, Victor Atuchin, Denis Milakhin, Konstantin Zhuravlev
Publikováno v:
Crystals, Vol 12, Iss 12, p 1707 (2022)
The origin of the contrast appearing in STM images at the boundary between diverse ordered structures is studied using the example of two structures, (7 × 7)N and (8 × 8), formed in the system of a two-dimensional silicon nitride layer on the Si(11
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9acd9d104aaf4643a249435bc2665669
Autor:
Vyacheslav A. Timofeev, Alexandr I. Nikiforov, Artur R. Tuktamyshev, Aleksey A. Bloshkin, Vladimir I. Mashanov, Sergey A. Teys, Ivan D. Loshkarev, Natalia A. Baidakova
Publikováno v:
Modern Electronic Materials, Vol 3, Iss 2, Pp 86-90 (2017)
This work deals with elastically strained GeSiSn films and GeSiSn islands. The kinetic diagram of GeSiSn growth for different lattice mismatches between GeSiSn and Si has been drawn. The multilayered periodic structures with pseudomorphic GeSiSn laye
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fb183be9c0f041b18514110729a4f7a5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.