Zobrazeno 1 - 10
of 53
pro vyhledávání: '"Tetyorkin, V. V."'
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2021, Vol. 24 Issue 4, p466-471. 6p.
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2020, Vol. 23 Issue 2, p208-213. 6p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Vakiv N. M., Krukovskii S. I., Sukach A. V., Tetyorkin V. V., Mrykhin I. A., Mikhashchuk Yu. S., Krukovskii R. S.
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 2, Pp 27-30 (2012)
The double epitaxial p+-InP/n-InGaAsP/n-InP heterostructures with coinciding electrical and metallurgical boundaries has been obtained. Such coincidence is achieved due to growing an additional buffer n-InP layer and decreasing the time for growing a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5f481beab823400686992112cc0ff7fe
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2018, Vol. 21 Issue 4, p374-379. 6p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2016, Vol. 19 Issue 3, p295-298. 4p.
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2015, Vol. 18 Issue 4, p428-432. 5p.
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2015, Vol. 18 Issue 3, p267-271. 5p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.