Výsledky vyhledávání - "Tessmer, G J."

Periodical

Nano-tribological investigations of carbon overcoats: correlation with Raman spectra

Autor: Lu, C.-J., Bogy, D. B., Rosenblum, S. S., Tessmer, G. J.

Publikováno v: Thin Solid Films; 1995, Vol. 268 Issue: 1 p83-90, 8p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Novel pseudomorphic high electron mobility transistor structures with GaAs-In0.3Ga0.7As thin strained superlattice active layers.

Autor: Ballingall, J. M., Ho, P., Tessmer, G. J., Martin, P. A., Lewis, Nathan, Hall, Ernest L.

Publikováno v: Applied Physics Letters; 5/22/1989, Vol. 54 Issue 21, p2121, 3p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Materials and Device Characteristics of Pseudomorphic AlGaAs-InGaAs-GaAs and AlInAs-InGaAs-InP High Electron Mobility Transistors.

Autor: Ballingall, J.M., Ho, Pin, Tessmer, G J., Martin, P.A., Yu, T.H., Chao, P.C., Smith, P.M., Duh, K.H.G.

Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 01/22/1989, Vol. 160, pN.PAG-1, 1p

Zobrazit plný text záznamu