Zobrazeno 1 - 10
of 11
pro vyhledávání: '"Teruyoshi Mihara"'
Autor:
Hideaki Tanaka, Teruyoshi Mihara, Satoshi Tanimoto, Tetsuya Hayashi, Yoshio Shimoida, Masakatsu Hoshi
Publikováno v:
Materials Science Forum. :677-680
Thin (~10nm) Si layers have been deposited using Rapid Thermal CVD at temperatures ranging 950°C-1050°C. RTCVD deposited Si layers have been oxidized using N2O at 1300°C during relatively short times (15min) to produce SiO2 layers of 20-30nm. The
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3b8229f0f924b72ad4cafbd21d97d0bd
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.677
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.677
Autor:
Hirohito Funato, Ikki Shinozaki, Teruyoshi Mihara, Daichi Murakami, Yukitsugu Hirota, Jun Araki, Satoshi Ogasawara, Masayuki Mouri, Fumihiro Okazaki
Publikováno v:
2014 International Power Electronics Conference (IPEC-Hiroshima 2014 - ECCE ASIA).
DC-DC converters of hybrid vehicles and electric vehicles are required to become smaller and lighter for building roomy and light weight EV. High-frequency switching can be used to miniaturize DC-DC converter. However, the influence of the skin effec
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cf66ae31dc3f7fa90b1e615190f0d717
https://doi.org/10.1109/ipec.2014.6869816
https://doi.org/10.1109/ipec.2014.6869816
Autor:
Teruyoshi Mihara
Publikováno v:
The Journal of the Acoustical Society of America. 87:1382-1382
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::785ef3945bee9ecb2ce7cd5fd76822f8
https://doi.org/10.1121/1.399495
https://doi.org/10.1121/1.399495
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 65:4061-4065
A new possible model for hot‐electron injection into the gate oxide of a metal‐oxide‐semiconductor field effect transistor at the drain voltage lower than the Si‐SiO2 effective barrier height is proposed, taking into account the high‐energy
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::534d4ee9a30220a47747aa8c5094b012
https://doi.org/10.1063/1.343333
https://doi.org/10.1063/1.343333
Autor:
Teruyoshi Mihara, Koichi Murakami
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 25:604
A method of repairing shorts in parallel connected vertical semiconductor devices including a plurality of parallel-connected transistors comprises an anodizing step, before the electrodes are formed, in addition to the conventional manufacturing ste
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fc6534e3ff2e9c9225518fe683b078ef
https://doi.org/10.1016/0026-2714(85)90379-8
https://doi.org/10.1016/0026-2714(85)90379-8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.