Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Terpitskiy, A. N."'
Autor:
Kaveev, A. K., Banshchikov, A. G., Terpitskiy, A. N., Golyashov, V. A., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Estyunin, D. A., Shikin, A. M., Schwier, E. F.
Sub-angstrom Co coverage, being deposited on BiSbTeSe2(0001) surface at 200-330 C, opens a band gap at the Dirac point, with the shift of the Dirac point position caused by RT adsorbate pre-deposition. Temperature dependent measurements in 15-150 K r
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1912.11878
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kaveev, A. K., Banshchikov, A. G., Terpitskiy, A. N., Golyashov, V. A., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Estyunin, D. A., Shikin, A. M.
Publikováno v:
Semiconductors; Sep2020, Vol. 54 Issue 9, p1051-1055, 5p
Autor:
Kaveev, A. K.1 (AUTHOR) kaveev@mail.ioffe.ru, Banshchikov, A. G.1 (AUTHOR), Terpitskiy, A. N.1 (AUTHOR), Golyashov, V. A.2 (AUTHOR), Tereshchenko, O. E.2 (AUTHOR), Kokh, K. A.3 (AUTHOR), Estyunin, D. A.4 (AUTHOR), Shikin, A. M.4 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Sep2020, Vol. 54 Issue 9, p1051-1055. 5p.