Výsledky vyhledávání - "Terao, Ryousuke"

Knihovna AV ČR, v. v. i.

Odhlásit
Přihlášení
Jazyk
- English
- Čeština
Instituce

Knihovna bude uzavřena od 23. 12. 2024 do 3. 1. 2025.

Pokročilé vyhledávání

Zahrnout EIZ

Zachovat současné nastavení filtrů

EXPAND:"fulltext"

Domovská stránka
Vyhledávání: "Terao, Ryousuke"
Navrhnout nákup titulu

Zobrazeno 1 - 10 of 25 pro vyhledávání: '"Terao, Ryousuke"'

Řazení

Vybrat vše | Vybrané výsledky:

Vybrat výsledek číslo 1 1

InP/InGaAs composite channel MOSFET with Al2O3 gate dielectric

Autor: Kanazawa, Toru, wakabayashi, kazuya, Saito, Hisashi, Terao, Ryousuke, Tajima, Tomonori, Ikeda, Shunsuke, MIYAMOTO, YASUYUKI, FURUYA, KAZUHITO

Publikováno v: 電子情報通信学会技術研究報告電子デバイス. 109(No. 360):39-42

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::f4483caa15fe958b70deb9337f37b120
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100597640

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 2 2

ヒータ加熱方式を用いた超小型香り発生デバイスの性能評価

Autor: Kashiwagi, Kensaku, Terao, Ryousuke, Suzuki, Yoshinori, NAKAMOTO, TAKAMICHI

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::41a91429f046ed1a5985bfd479359ca3
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100670027

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 3 3

MOVPE-regrown source/drain regions for III-V MOSFETs with high drain current of 1.28 A/mm

Autor: Kanazawa, Toru, Terao, Ryousuke, Ikeda, Shunsuke, MIYAMOTO, YASUYUKI

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::710d7da465b9551edf18bdffcf7b7563
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100628829

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 4 4

裏面電極を有するⅢ－Ⅴ族量子井戸型チャネルMOSFET

Autor: Kanazawa, Toru, Terao, Ryousuke, Yamaguchi, Yuutarou, Ikeda, Shunsuke, Yonai, Yosiharu, kato, atsushi, MIYAMOTO, YASUYUKI

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::54f15ac1f4a39dbdc0751f78a09bee58
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100619804

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 5 5

InP/InGaAs MOSFET with back-gate electrode bonded on Si substrate

Autor: Kanazawa, Toru, Terao, Ryousuke, Yamaguchi, Yuutarou, Ikeda, Shunsuke, Yonai, Yosiharu, kato, atsushi, MIYAMOTO, YASUYUKI

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::21c9b7bf15bac57f6752647f5005491e
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100612622

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 6 6

Submicron InP/InGaAs composite channel MOSFETs with selectively regrown n+-source/drain buried in channel undercut

Autor: Kanazawa, Toru, wakabayashi, kazuya, Saito, Hisashi, Terao, Ryousuke, Tajima, Tomonori, Ikeda, Shunsuke, MIYAMOTO, YASUYUKI, FURUYA, KAZUHITO

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::fddbfe6f14b05ee4cb1aa205bf8c69b1
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100610518

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 7 7

III-V族サブミクロンチャネルを有する高移動度MOSFET

Autor: Kanazawa, Toru, wakabayashi, kazuya, Saito, Hisashi, Terao, Ryousuke, Tajima, Tomonori, Ikeda, Shunsuke, MIYAMOTO, YASUYUKI, FURUYA, KAZUHITO

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::686656a4aaa9ff3abe3a2995bfbbc0fe
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100610505

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 8 8

再成長ソースを有するサブミクロンInP/InGaAs nMOSFETの電流電圧特性

Autor: wakabayashi, kazuya, Kanazawa, Toru, Saito, Hisashi, Terao, Ryousuke, Ikeda, Shunsuke, MIYAMOTO, YASUYUKI, FURUYA, KAZUHITO

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::9cbd985e006203c4243e90f5c0af05ea
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100610493

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 9 9

Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsチャネル n-MOSFETの電気特

Autor: Terao, Ryousuke, Kanazawa, Toru, Saito, Hisashi, wakabayashi, kazuya, Ikeda, Shunsuke, MIYAMOTO, YASUYUKI, FURUYA, KAZUHITO

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::e88996227652425dca2d071395921e8f
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100610494

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 10 10

InP/In0.53Ga0.47As composite channel n-MOSFETwith heavily dopedregrown source/drain structure

Autor: wakabayashi, kazuya, Kanazawa, Toru, Saito, Hisashi, Terao, Ryousuke, Ikeda, Shunsuke, MIYAMOTO, YASUYUKI, FURUYA, KAZUHITO

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::beacb222a25c76b650b2dadf25efe196
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100610500

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat vše | Vybrané výsledky:

1
2
3
Další »
[3]

Vyhledávací nástroje:

RSS
Poslat e-mailem

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání

Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR

Zdroje

Pouze tištěné dokumenty

Zahrnout EIZ

6 Akademické články
6 Časopisy

3 iop publishing
3 japan soc applied physics
1 the japan society of applied physics

6 applied physics express
6 applied physics express (apex)

13 OpenAIRE
6 Supplemental Index
3 Science Citation Index Expanded
3 Complementary Index

Od:

do:

Možnosti vyhledávání

Tematická mapa
Historie vyhledávání
Pokročilé vyhledávání

Objevte více

Abecední procházení

Hledáte pomoc?

Tipy pro vyhledávání

načítá se......