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pro vyhledávání: '"Tenue en tension"'
Autor:
MORANCHO, Frederic
Le compromis entre la résistance passante spécifique et la tenue en tension a toujours été un point pénalisant les performances statiques des structures MOS de puissance conventionnelles. Depuis 1997, de nouveaux concepts, tels que la Superjonct
Externí odkaz:
http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00010475
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/85/71/PDF/tel-00010475.pdf
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Publikováno v:
Journal de Physique III. 4:1383-1396
The DC trade-off ON resistance versus voltage capability is determined for the SiC multicellular Power MOSFET transistor. First, this limit is analytically calculated for the bulk material. Then, the influence of the size of the MOSFET cell is consid
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8287959f40f45bf113f988e50007cab5
https://doi.org/10.1051/jp3:1994207
https://doi.org/10.1051/jp3:1994207
Autor:
Philippe Leturcq
Publikováno v:
Conversion de l'énergie électrique.
La tenue en tension d'un composant semi-conducteur de puissance, c'est-a-dire son aptitude a jouer entre contacts principaux le role d'interrupteur ouvert, est assuree, dans tous les cas, par une jonction bloquante sous polarisation inverse. Cette jo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e1eca26b8ff16fd89ed1db73e6726f38
https://doi.org/10.51257/a-v1-d3104
https://doi.org/10.51257/a-v1-d3104
Thèse de doctorat : Génie électrique : Villeurbanne, INSA : 2001.
Thèse : 2001ISAL0018. Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p.155-163.
Thèse : 2001ISAL0018. Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p.155-163.
Externí odkaz:
http://csidoc.insa-lyon.fr/these/2001/isoird/index.html
Autor:
Beydoun, B., Rossel, P., Tranduc, H., Charitat, G., Beydoun, B., Rossel, P., Tranduc, H., Charitat, G.
Publikováno v:
Journal de Physique III; August 1994, Vol. 4 Issue: 8 p1383-1396, 14p
Publikováno v:
Revue de Physique Appliquée
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1987, 22 (7), pp.473-476. ⟨10.1051/rphysap:01987002207047300⟩
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1987, 22 (7), pp.473-476. ⟨10.1051/rphysap:01987002207047300⟩
Dans cet article, nous présentons l'influence de l'épaisseur de la région n, pour l'optimisation de la tenue en tension des structures planar avec un anneau de champ et en limitation de zone de charge d'espace. Les résultats ont été obtenus par
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fc46747aa58137c7e694988751837709
https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207047300
https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207047300
Publikováno v:
HAL
Actes des 17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014
17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014
17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p
Actes des 17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014
17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014
17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p
Nous avons réalisé un transistor à double hétérostructure AlN/GaN/AlGaN sur substrat Silicium (111) combinant une tension de claquage élevée et une faible résistance à l'état passant avec une épaisseur totale de buffer de l'ordre de 2μm.
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::646a0d8f453aa6703050d07ff00a3444
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01018416
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01018416
Autor:
Buret, François.
Th.--Electrotech.--Grenoble--INPG, 1986.
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http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37596481f