Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Tenberg, Stefanie B."'
Autor:
Tenberg, Stefanie B., Asaad, Serwan, Mądzik, Mateusz T., Johnson, Mark A. I., Joecker, Benjamin, Laucht, Arne, Hudson, Fay E., Itoh, Kohei M., Jakob, A. Malwin, Johnson, Brett C., Jamieson, David N., McCallum, Jeffrey C., Dzurak, Andrew S., Joynt, Robert, Morello, Andrea
Publikováno v:
Phys. Rev. B 99, 205306 (2019)
We analyze the electron spin relaxation rate $1/T_1$ of individual ion-implanted $^{31}$P donors, in a large set of metal-oxide-semiconductor (MOS) silicon nanoscale devices, with the aim of identifying spin relaxation mechanisms peculiar to the envi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1812.06644
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.