Zobrazeno 1 - 10 of 1 315 pro vyhledávání: '"Temkin, H."'
1
Akademický článek
X-ray diffraction study of AlN/AlGaN short period superlattices.
Autor: Chandolu, A., Nikishin, S., Holtz, M., Temkin, H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Dec2007, Vol. 102 Issue 11, p114909, 5p, 1 Diagram, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Nanoscale surface roughening in ultrathin aluminum films.
Autor: Aurongzeb, D., Washington, E., Basavaraj, M., Berg, J. M., Temkin, H., Holtz, M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/1/2006, Vol. 100 Issue 11, p114320, 4p, 1 Diagram, 1 Chart, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Formation of nickel nanodots on GaN.
Autor: Aurongzeb, D., Ram, K. Bhargava, Holtz, M., Basavaraj, M., Kipshidze, G., Yavich, B., Nikishin, S. A., Temkin, H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/1/2006, Vol. 99 Issue 1, p014308, 4p, 1 Black and White Photograph, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Depth dependence of defect density and stress in GaN grown on SiC.
Autor: Faleev, N., Temkin, H., Ahmad, I., Holtz, M., Melnik, Yu.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/15/2005, Vol. 98 Issue 12, p123508, 7p, 2 Charts, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
The influence of interface roughness on electrical transport in nanoscale metallic multilayers.
Autor: Aurongzeb, D., Holtz, M., Berg, J. M., Chandolu, A., Temkin, H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/15/2005, Vol. 98 Issue 6, p063708, 5p, 1 Diagram, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Metal-organic molecular-beam epitaxy of GaN with trimethylgallium and ammonia: Experiment and modeling.
Autor: Gherasoiu, I., Nikishin, S., Temkin, H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/1/2005, Vol. 98 Issue 5, p053518, 5p, 1 Diagram, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Analysis of nonselective plasma etching of AlGaN by CF4/Ar/Cl2.
Autor: Kuryatkov, V., Borisov, B., Saxena, J., Nikishin, S. A., Temkin, H., Patibandla, S., Menon, L., Holtz, M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 4/1/2005, Vol. 97 Issue 7, p073302, 5p, 1 Black and White Photograph, 2 Charts, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Growth mechanism of AlN by metal-organic molecular beam epitaxy.
Autor: Gherasoiu, I., Nikishin, S., Kipshidze, G., Borisov, B., Chandolu, A., Ramkumar, C., Holtz, M., Temkin, H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/1/2004, Vol. 96 Issue 11, p6272-6276, 5p, 1 Black and White Photograph, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Evolution of surface roughness of AlN and GaN induced by inductively coupled Cl2/Ar plasma etching.
Autor: Zhu, K., Kuryatkov, V., Borisov, B., Yun, J., Kipshidze, G., Nikishin, S. A., Temkin, H., Aurongzeb, D., Holtz, M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/1/2004, Vol. 95 Issue 9, p4635-4641, 7p, 2 Black and White Photographs, 1 Chart, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Dependence of the stress–temperature coefficient on dislocation density in epitaxial GaN grown on α-Al[sub 2]O[sub 3] and 6H–SiC substrates.
Autor: Ahmad, I., Holtz, M., Faleev, N. N., Temkin, H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/2004, Vol. 95 Issue 4, p1692-1697, 6p, 2 Charts, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje