Zobrazeno 1 - 10
of 702
pro vyhledávání: '"Tchernycheva M"'
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 5, Iss 10, Pp 1692-1697 (2010)
Abstract The growth of inclined GaAs nanowires (NWs) during molecular beam epitaxy (MBE) on the rotating substrates is studied. The growth model provides explicitly the NW length as a function of radius, supersaturations, diffusion lengths and the ti
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e333717345a84177b4d50a16b8cd9378
Autor:
Himwas, C., Wongpinij, T., Kijamnajsuk, S., Euaruksakul, C., Photongkam, P., Tchernycheva, M., Pumee, W., Panyakeow, S., Kanjanachuchai, S.
Publikováno v:
In Surfaces and Interfaces August 2023 40
Autor:
Zagonel, L. F., Tizei, L. H. G., Vitiello, G. Z., Jacopin, G., Rigutti, L., Tchernycheva, M., Julien, F. H., Songmuang, R., Ostasevicius, T., de la Peña, F., Ducati, C., Midgley, P. A, Kociak, M.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 93, 205410 (2016)
We report on a detailed study of the intensity dependent optical properties of individual GaN/AlN Quantum Disks (QDisks) embedded into GaN nanowires (NW). The structural and optical properties of the QDisks were probed by high spatial resolution cath
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1605.07504
Publikováno v:
Nanotechnology 2012 23 455205
The optical properties of a stack of GaN/AlN quantum discs (QDiscs) in a GaN nanowire have been studied by spatially resolved cathodoluminescence (CL) at the nanoscale (nanoCL) using a Scanning Transmission Electron Microscope (STEM) operating in spe
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1209.2545
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Damilano, B., Vézian, S., Chauvat, M. P., Ruterana, P., Amador-Mendez, N., Collin, S., Tchernycheva, M., Valvin, P., Gil, B.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 7/21/2022, Vol. 132 Issue 3, p1-8, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanotechnology; 6/11/2023, Vol. 34 Issue 24, p1-8, 8p