Zobrazeno 1 - 10 of 35 pro vyhledávání: '"Tavernier Karine"'
1
Akademický článek
Preliminary study of selective contacts for hot carrier solar cells
Autor: Boyer-Richard Soline, Fan Fei, Chevalier Nicolas, Létoublon Antoine, Beck Alexandre, Tavernier Karine, Rani Shalu, Suchet Daniel, Cattoni Andrea, Lombez Laurent, Durand Olivier
Publikováno v: EPJ Photovoltaics, Vol 15, p 38 (2024)
Hot carrier solar cells are a concept of photovoltaic devices, which offers the opportunity to harvest solar energy beyond the Shockley-Queisser limit. Unlike conventional photovoltaic devices, hot carrier solar cells convert excess kinetic energy in
Externí odkaz: https://doaj.org/article/0f8dbb104f4d427c87f06cd93aaec78b
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Investigation of III-V GaP solar cell on silicon substrate
Autor: Boyer-Richard Soline, Fan Fei, Beck Alexandre, Levallois Christophe, Tavernier Karine, Rohel Tony, Bernard Rozenn, Létoublon Antoine, Cornet Charles, Durand Olivier
Publikováno v: EPJ Photovoltaics, Vol 14, p 31 (2023)
The best solar conversion efficiencies have been reached thanks to multijunction solar based on III-V semiconductors on GaAs or Ge substrates. While displaying high conversion efficiencies, these solar cells suffer from the high cost of such substrat
Externí odkaz: https://doaj.org/article/3dc4a55c997d453cbdb7977c44a8d255
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
III-V GaP solar cells on silicon
Autor: Fan, Fei, Boyer-Richard, Soline, Beck, Alexandre, Levallois, Christophe, Tavernier, Karine, Rohel, Tony, Gautheron-Bernard, Rozenn, Létoublon, Antoine, Cornet, Charles, Durand, Olivier
Publikováno v: 12è Journées Nationales du PhotoVoltaïque (JNPV 2022)
12è Journées Nationales du PhotoVoltaïque (JNPV 2022), Nov 2022, Dourdan, France
National audience
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2755::cc104ef812a4b6824fc0df649d6ade1b
https://hal.science/hal-03968270
Zobrazit plný text záznamu
7
Is a substrate miscut really required for high quality III-V/Si monolithic integration?
Autor: Cornet, Charles, Charbonnier, Simon, Lucci, Ida, Chen, Lipin, Létoublon, Antoine, Tavernier, Karine, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, RODRIGUEZ, Jean-baptiste, Cerutti, Laurent, Tournié, Eric, Léger, Yoan, Bahri, Mounib, Patriarche, Gilles, Largeau, Ludovic, Ponchet, Anne, Turban, Pascal, Bertru, Nicolas
Publikováno v: 21st International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2021)
21st International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2021), Sep 2021, Mexico (virtual), Mexico
21st International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE)
21st International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE), Sep 2021, Mexico (virtual), Mexico
International audience
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::4ec2f06c9e657d403a1dc7d854a7ef14
https://hal.science/hal-03402689
Zobrazit plný text záznamu
9
Influence des paramètres de croissance de l'homoépitaxie silicium par UHV- CVD sur la reconstruction de surface du silicium
Autor: Bernard, Rozenn, Bertru, Nicolas, Rohel, Tony, Tavernier, Karine, Lucci, Ida, Léger, Yoan, Cornet, Charles
Publikováno v: Journées Nanomatériaux
Journées Nanomatériaux, Jan 2020, Rennes, France
International audience; Le développement de composants III-V monolithiquement intégrés sur silicium nécessite la maitrise des défauts cristallins générés à l’interface III-V/Si. La qualité de la surface du substrat de silicium et la struc
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::9b9917f50821f3f3344ff182a5f32b94
https://hal.science/hal-02474736/document
Zobrazit plný text záznamu
10
Random crystal polarity of Gallium phosphide microdisks on silicon
Autor: Urothodi, Rasool, Lorenzo-Ruiz, Alejandro, Le Pouliquen, Julie, de Sagazan, Olivier, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, Tavernier, Karine, Levallois, Christophe, Beck, Alexandre, Cornet, Charles, Dumeige, Yannick, Léger, Yoan
Publikováno v: Journées Nanomatériaux de Rennes
Journées Nanomatériaux de Rennes, Jan 2020, Rennes, France
National audience; Second order nonlinear devices are at the basis of many present and future photonic applications, from modulation and frequency conversion to entanglement and quantum computing.1 The research community is thus constantly looking fo
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::de0018b64307a94682618161c2f85e25
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03101371
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje