Zobrazeno 1 - 10
of 58
pro vyhledávání: '"Tateshita, Y."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yamakawa, S., Mayuzumi, S., Wang, J., Tateshita, Y., Wakabayashi, H., Ohno, T., Ansai, H., Kosemura, D., Takei, M., Ogura, A.
Publikováno v:
2008 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes & Devices; 2008, p109-112, 4p
Publikováno v:
ESSDERC 2008 - 38th European Solid-State Device Research Conference; 2008, p174-177, 4p
Autor:
Grasser, Tibor, Selberherr, Siegfried, Yamakawa, S., Wang, J., Tateshita, Y., Nagano, K., Tsukamoto, M., Ohri, H., Nagashima, N., Ansai, H.
Publikováno v:
Simulation of Semiconductor Processes & Devices 2007; 2007, p109-112, 4p
Autor:
Mayuzumi, S., Wang, J., Yamakawa, S., Tateshita, Y., Hirano, T., Nakata, M., Yamaguchi, S., Yamamoto, Y., Miyanami, Y., Oshiyama, I., Tanaka, K., Tai, K., Ogawa, K., Kugimiya, K., Nagahama, Y., Hagimoto, Y., Yamamoto, R., Kanda, S., Nagano, K., Wakabayashi, H.
Publikováno v:
2007 IEEE International Electron Devices Meeting; 2007, p293-296, 4p
High Performance pMOSFET with ALD-TiN/HfO2 Gate Stack on (110) Substrate by Low Temperature Process.
Autor:
Tai, K., Hirano, T., Yamaguchi, S., Ando, T., Hiyama, S., Wang, J., Nagahama, Y., Kato, T., Yamanaka, M., Terauchi, S., Kanda, S., Yamamoto, R., Tateshita, Y., Tagawa, Y., Iwamoto, H., Saito, M., Nagashima, N., Kadomura, S.
Publikováno v:
2006 European Solid-State Device Research Conference; 2006, p121-124, 4p
Autor:
Tateshita, Y., Wang, J., Nagano, K., Hirano, T., Miyanami, Y., Ikuta, T., Kataoka, T., Kikuchi, Y., Yamaguchi, S., Ando, T., Tai, K., Matsumoto, R., Fujita, S., Yamane, C., Yamamoto, R., Kanda, S., Kugimiya, K., Kimura, T., Ohchi, T., Yamamoto, Y.
Publikováno v:
2006 International Electron Devices Meeting; 2006, p1-4, 4p
Publikováno v:
2006 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes & Devices; 2006, p385-388, 4p
Autor:
Hirano, T., Ando, T., Tai, K., Yamaguchi, S., Kato, T., Hiyama, S., Hagimoto, Y., Takesako, S., Yamagishi, N., Watanabe, K., Yamamoto, R., Kanda, S., Terauchi, S., Tateshita, Y., Tagawa, Y., Iwamoto, H., Saito, M., Kadomura, S., Nagashima, N.
Publikováno v:
IEEE International Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest; 2005, p890-893, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.