Zobrazeno 1 - 10
of 57
pro vyhledávání: '"Tartarin, J. G."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2016 11th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC); 2016, p480-483, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tartarin, J. -G, Soubercaze-Pun, G., Bary, L., Chambon, C., Gribaldo, S., Llopis, O., Escotte, L., Plana, R., Belage, S., Gaquière, C., Graffeuil, J.
Publikováno v:
Proceedings of the 13th European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductor Applications Symposium, GAAS 2005
IEEE GAAS 2005
IEEE 13th Gallium Arsenide and other compound semiconductors Application Symposium 2005
IEEE 13th Gallium Arsenide and other compound semiconductors Application Symposium 2005, Oct 2005, Paris, France. pp.299-302, ⟨10.1063/1.2036754⟩
Tartarin, J.-G. ; Soubercaze-Pun, G. ; Bary, L. ; Chambon, C. ; Gribaldo, S. ; Llopis, O. ; Escotte, L. ; Plana, R. ; Delage, S. L. ; Gaquière, C. ; Graffeuil, J. (2005) Low Frequency and linear high frequency noise performances of AlGaN/GaN grown on SiC substrate. In: Gallium Arsenide applications symposium. GAAS 2005, 3-7 ottobre 2005, Parigi.
Scopus-Elsevier
IEEE GAAS 2005
IEEE 13th Gallium Arsenide and other compound semiconductors Application Symposium 2005
IEEE 13th Gallium Arsenide and other compound semiconductors Application Symposium 2005, Oct 2005, Paris, France. pp.299-302, ⟨10.1063/1.2036754⟩
Tartarin, J.-G. ; Soubercaze-Pun, G. ; Bary, L. ; Chambon, C. ; Gribaldo, S. ; Llopis, O. ; Escotte, L. ; Plana, R. ; Delage, S. L. ; Gaquière, C. ; Graffeuil, J. (2005) Low Frequency and linear high frequency noise performances of AlGaN/GaN grown on SiC substrate. In: Gallium Arsenide applications symposium. GAAS 2005, 3-7 ottobre 2005, Parigi.
Scopus-Elsevier
International audience; Newly developed GaN technology offers great potential for military and space, as well as some high volume applications. The devices are grown on different substrates (sapphire, silicon and silicon carbide), involving differenc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::c26b6330798b47a0a1394bb9e8429f2c
https://hal.science/hal-00154917
https://hal.science/hal-00154917
Autor:
Nsele, S. D., Robin, C., Tartarin, J. G., Escotte, L., Piotrowicz, S., Jardel, O., Delage, S.
Publikováno v:
2015 10th International Conference on Availability, Reliability & Security; 2015, p1-4, 4p