Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Low frequency and linear high frequency noise performances of AlGaN/GaN grown on SiC substrate

Autor: Tartarin, J. -G, Soubercaze-Pun, G., Bary, L., Chambon, C., Gribaldo, S., Llopis, O., Escotte, L., Plana, R., Belage, S., Gaquière, C., Graffeuil, J.

Publikováno v: Proceedings of the 13th European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductor Applications Symposium, GAAS 2005
IEEE GAAS 2005
IEEE 13th Gallium Arsenide and other compound semiconductors Application Symposium 2005
IEEE 13th Gallium Arsenide and other compound semiconductors Application Symposium 2005, Oct 2005, Paris, France. pp.299-302, ⟨10.1063/1.2036754⟩
Tartarin, J.-G. ; Soubercaze-Pun, G. ; Bary, L. ; Chambon, C. ; Gribaldo, S. ; Llopis, O. ; Escotte, L. ; Plana, R. ; Delage, S. L. ; Gaquière, C. ; Graffeuil, J. (2005) Low Frequency and linear high frequency noise performances of AlGaN/GaN grown on SiC substrate. In: Gallium Arsenide applications symposium. GAAS 2005, 3-7 ottobre 2005, Parigi.
Scopus-Elsevier

International audience; Newly developed GaN technology offers great potential for military and space, as well as some high volume applications. The devices are grown on different substrates (sapphire, silicon and silicon carbide), involving differenc

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::c26b6330798b47a0a1394bb9e8429f2c
https://hal.science/hal-00154917

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Ka-band low noise amplifiers based on InAlN/GaN technologies.

Autor: Nsele, S. D., Robin, C., Tartarin, J. G., Escotte, L., Piotrowicz, S., Jardel, O., Delage, S.

Publikováno v: 2015 10th International Conference on Availability, Reliability & Security; 2015, p1-4, 4p