Zobrazeno 1 - 9 of 9 pro vyhledávání: '"Tarn, J. C."'
1
Akademický článek
Molecular-beam epitaxial growth and microstructural characterization of GaAs on Si with a buried implanted oxide.
Autor: Das, K., Humphreys, T. P., Posthill, J. B., Tarn, J. C. L., Wortman, J. J., Parikh, N. R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/1988, Vol. 64 Issue 8, p3934, 4p, 4 Diagrams, 1 Graph
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Interactions of dislocations in GaAs grown on Si substrates with InGaAs-GaAsP strained layered superlattices.
Autor: El-Masry, N. A., Tarn, J. C., Karam, N. H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/1/1988, Vol. 64 Issue 7, p3672, 6p, 13 Black and White Photographs, 3 Charts
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Comparative studies of defects in GaAs on silicon substrates using electron-beam-induced current and transmission electron microscopy.
Autor: Humphreys, T. P., Hamaguchi, N., Bedair, S. M., Tarn, J. C. L., El-Masry, N., Radzimski, Z. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/1/1988, Vol. 64 Issue 7, p3763, 3p, 7 Black and White Photographs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Simultaneous Neutralization and Innate Immune Detection of a Replicating Virus by TRIM21.
Autor: Watkinson, R. E.1, Tarn, J. C. H.1, Vaysburd, M. J.1, James, L. C.1 lcj@mrc-lmb.cam.ac.uk
Publikováno v: Journal of Virology. Jul2013, Vol. 87 Issue 13, p7309-7313. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Criterion for blocking threading dislocations by strained buffer layers in GaAs grown on Si substrates.
Autor: El-Masry, N. A., Tarn, J. C. L., Hussien, S.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 11/13/1989, Vol. 55 Issue 20, p2096, 3p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Combined effect of strained-layer superlattice and annealing in defects reduction in GaAs grown on Si substrates.
Autor: El-Masry, N. A., Tarn, J. C. L., Bedair, S. M.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 10/2/1989, Vol. 55 Issue 14, p1442, 3p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Observation of antiphase domain boundaries in GaAs on silicon by transmission electron microscopy.
Autor: Posthill, J. B., Tarn, J. C. L., Das, K., Humphreys, T. P., Parikh, N. R.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 9/26/1988, Vol. 53 Issue 13, p1207, 3p
Zobrazit plný text záznamu
9
Conference
Effect of Highly Strained Superlattices on the Threading Dislocation Behavior in GaAs Grown on Silicon.
Autor: El-Masry, N. A., Tarn, J. C. L., Karam, N. H., Bedair, S. M.
Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 01/31/1988, Vol. 130, pN.PAG-1, 1p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje