Zobrazeno 1 - 10
of 76
pro vyhledávání: '"Tangi, Malleswararao"'
Autor:
Jena, Jagannath, Koraltan, Sabri, Bruckner, Florian, Holst, Konstantin, Tangi, Malleswararao, Abert, Claas, Felser, Claudia, Suess, Dieter, Parkin, Stuart S.P.
Publikováno v:
Advanced Functional Materials; Oct2024, Vol. 34 Issue 40, p1-15, 15p
Autor:
Tangi, Malleswararao, Min, Jung-Wook, Priante, Davide, Subedi, Ram Chandra, Anjum, Dalaver H., Prabaswara, Aditya, Alfaraj, Nasir, Liang, Jian Wei, Shakfa, Mohammad Khaled, Ng, Tien Khee, Ooi, Boon S.
Publikováno v:
In Nano Energy December 2018 54:264-271
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Materials Research Bulletin February 2013 48(2):256-259
Autor:
Priante, Davide, Elafandy, Rami T., Prabaswara, Aditya, Janjua, Bilal, Zhao, Chao, Alias, Mohd Sharizal, Tangi, Malleswararao, Alaskar, Yazeed, Albadri, Abdulrahman M., Alyamani, Ahmed Y., Ng, Tien Khee, Ooi, Boon S.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 124 Issue 1, pN.PAG-N.PAG, 8p, 1 Chart, 6 Graphs
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 123 Issue 1, p1-N.PAG, 9p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tangi, Malleswararao, Mishra, Pawan, Janjua, Bilal, Tien Khee Ng, Anjum, Dalaver H., Prabaswara, Aditya, Yang Yang, Albadri, Abdulrahman M., Alyamani, Ahmed Y., El-Desouki, Munir M., Ooi, Boon S.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 7/28/2016, Vol. 120 Issue 4, p1-8, 8p, 1 Diagram, 2 Charts, 5 Graphs
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2015, Vol. 118 Issue 2, p025301-1-025301-6, 6p, 1 Black and White Photograph, 3 Graphs
Autor:
Tangi, Malleswararao, Mishra, Pawan, Ng, Tien Khee, Hedhili, Mohamed Nejib, Janjua, Bilal, Alias, Mohd Sharizal, Anjum, Dalaver H., Tseng, Chien-Chih, Shi, Yumeng, Joyce, Hannah J., Lain-Jong Li, Ooi, Boon S.
Publikováno v:
ResearcherID
We report the band alignment parameters of the GaN/single-layer (SL) MoS2 heterostructure where the GaN thin layer is grown by molecular beam epitaxy on CVD deposited SL-MoS2/c-sapphire. We confirm that the MoS2 is an SL by measuring the separation a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::95b853a3f8c76582ee1ee03b8b805571