Zobrazeno 1 - 10
of 63
pro vyhledávání: '"Tan, Kaizhou"'
Autor:
Zhang, Peijian, Wu, Xue, Yi, Qianning, Chen, Wensuo, Yang, Yonghui, Zhu, Kunfeng, Tan, Kaizhou, Zhong, Yi
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability April 2017 71:86-90
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hu, Shengdong, Luo, Jun, Tan, Kaizhou, Zhang, Ling, Li, Zhaoji, Zhang, Bo, Zhou, Jianlin, Gan, Ping, Qin, Guolin, Zhang, Zhengyuan
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability April 2012 52(4):692-697
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Song Jian-Jun, Chen Guang-Bing, Cui Wei, Ren Yuan, Tan Kaizhou, Hu Hui-Yong, Tang Zhaohuan, Zhang Jing, Zhang He-Ming
Publikováno v:
Journal of Computational and Theoretical Nanoscience. 13:8862-8869
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::98b101948f24089fefa7f5e9194ccbfb
https://doi.org/10.1166/jctn.2016.6054
https://doi.org/10.1166/jctn.2016.6054
Autor:
Wei Qing, Zhang Jing, Cui Wei, Hu Hui-Yong, Tang Zhaohuan, Zhang He-Ming, Tan Kaizhou, Song Jian-Jun
Publikováno v:
Journal of Computational and Theoretical Nanoscience. 13:3444-3450
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ce7edafe4569f41a06bfd48c29e3b4dc
https://doi.org/10.1166/jctn.2016.5012
https://doi.org/10.1166/jctn.2016.5012
Autor:
Tian Xiao, Tang Zhaohuan, Kunfeng Zhu, Tan Kaizhou, Huang Dong, Wu Xue, Zhang Jing, Xia Zhang, Wang Bin, Wensuo Chen
Publikováno v:
2018 International Conference on Radiation Effects of Electronic Devices (ICREED).
SEB characters of a novel SIT and VDMOS were contrastively analyzed by pulse light irradiation numerical simulation. Simulation result indicated that SIT’s SEB trigger intensity (Equivalent threshold Charges or LET) is 52 times as VDMOS, and SEB tr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ccd04acf2d4951dee8f2117b3c023a5f
https://doi.org/10.1109/icreed.2018.8905070
https://doi.org/10.1109/icreed.2018.8905070
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2017 IEEE 24th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA).
An investigation of radiated reliability of HBT and MOSFET which fabricated on 0.35 μm SiGe BiCMOS technology is presented under dose rates of 500 mGy(Si)/s and 1 mGy(Si)/s with a 60Co γ irradiation source. Gummel characteristics of SiGe HBT and tr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1c431347b818409f0183945bb47ee0e3
https://doi.org/10.1109/ipfa.2017.8060127
https://doi.org/10.1109/ipfa.2017.8060127