Zobrazeno 1 - 10
of 56
pro vyhledávání: '"Tali, Maris"'
Publikováno v:
2022 IEEE 28th International Symposium on On-Line Testing and Robust System Design (IOLTS).
In this paper we characterise two embedded GPU devices from the NVIDIA Xavier family System-on-Chip (SoC) using a proton beam. We compare the NVIDIA Xavier NX and Industrial devices, that respectively target commercial and automotive applications. We
Autor:
Tali, Maris
Publikováno v:
Tali, Maris. Portable Front-End Readout System for Radiation Detection. Master thesis, University of Oslo, 2015
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10852/45521
https://www.duo.uio.no/bitstream/handle/10852/45521/7/oppgave_tali-final2.pdf
https://www.duo.uio.no/bitstream/handle/10852/45521/7/oppgave_tali-final2.pdf
Autor:
Tali, Maris
In this work, the physical mechanisms of electron-induced single-event effects have been studied. Simulations using Monte Carlo codes such as FLUKA have been performed to study in more detailed the mechanisms by which electrons deposit charge in the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od________65::02b07d877908c1294463c146b984bb48
http://cds.cern.ch/record/2744574
http://cds.cern.ch/record/2744574
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tali, Maris, Alía, Rubéen García, Brugger, Markus, Ferlet-Cavrois, Veronique, Corsini, Roberto, Farabolini, Wilfrid, Javanainen, Arto, Santin, Giovanni, Polo, Cesar Boatella, Virtanen, Ari
In this paper, possible mechanisms by which electrons can induce single-event latchups in electronics are discussed. The energy deposition and the nuclear fragments created by electrons in silicon are analyzed in this context. The cross section enhan
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1222::90b90458eb627f43addfa53b9222271f
http://urn.fi/URN:NBN:fi:jyu-201912135278
http://urn.fi/URN:NBN:fi:jyu-201912135278
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.