Zobrazeno 1 - 10
of 194
pro vyhledávání: '"Talalaev, V."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanotechnology 20 (2009) 445303 (7pp)
A convenient method has been developed to thin electron beam fabricated Silicon nanopillars under controlled surface manipulation by transforming the surface of the pillars to an oxide shell layer followed by the growth of sacrificial ammonium silico
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1512.07996
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kalem, S, Werner, P, Arthursson, Ö, Talalaev, V, Nilsson, B, Hagberg, M, Frederiksen, H, Södervall, U
Publikováno v:
Nanotechnology 22 (2011) 235307
Physical properties of black Silicon (b-Si) formed on Si wafers by reactive ion etching in chlorine plasma are reported in an attempt to clarify the formation mechanism and the origin of the observed optical and electrical phenomena which are promisi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1105.3011
We have studied the electronic structure and charge-carrier dynamics of individual single-wall carbon nanotubes (SWNTs) and nanotube ropes using optical and electron-spectroscopic techniques. The electronic structure of semiconducting SWNTs in the ba
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0310109
Autor:
Kalem, S., Werner, P., Hagberg, M., Nilsson, B., Talalaev, V., Arthursson, Ö., Frederiksen, H., Södervall, U.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering August 2011 88(8):2593-2596
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
null Talalaev V. G., null Smirnov A. N., null Davydov V. Yu., null Mikushev S. V., null Serov A. Yu., null Novikov B. V., null Labzovskaya M. E.
Publikováno v:
Semiconductors. 56:849
The optical properties of Cu2O nanowhiskers grown by the liquid method with material deposition in an electric field have been studied. The spectral lines forbidden by the selection rules for perfect Cu2O crystals were found in the Raman spectra. The
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7ace44795c32b08618b9e05b9a95fa12
https://doi.org/10.21883/sc.2022.11.55026.4272
https://doi.org/10.21883/sc.2022.11.55026.4272
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Semiconductors. Nov2015, Vol. 49 Issue 11, p1483-1492. 10p.