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pro vyhledávání: '"Takemura, Yoshiaki"'
Autor:
TAKEMURA, Yoshiaki
Publikováno v:
Field+ : フィールドプラス : 世界を感応する雑誌 / 東京外国語大学アジア・アフリカ言語文化研究所 [編]. 29:6-7
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::1b17a5d469a48e4da31a0ae2b0f3fd0d
http://repository.tufs.ac.jp/handle/10108/125330
http://repository.tufs.ac.jp/handle/10108/125330
Autor:
Takemura, Yoshiaki
Publikováno v:
現代インド研究. 5:261-264
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::b68e5ddea0d4083119126e4dd49d4a78
http://hdl.handle.net/2433/216630
http://hdl.handle.net/2433/216630
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing 1999 2(3):233-238
Autor:
Takemura, Yoshiaki
Publikováno v:
年報人間科学. 26:199-218
資本主義経済のグローバル化と共に、様々な文化事象が脱領域的に流動する現代社会において、ローカルで伝統的な身体文化は、世界システムとどのように繋がりながら人々の間で受容
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::f25441e4a4e938dd04ec22876753c02a
https://hdl.handle.net/11094/25894
https://hdl.handle.net/11094/25894
Bipolar-Mode Multibit Soft-Error-Mechanism Analysis of SRAMs by Three-Dimensional Device Simulation.
Autor:
Yamaguchi, Ken1 yamaguchi@advancesoft.jp, Takemura, Yoshiaki2, Osada, Kenichi3, Saito, Yoshikazu4
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. Nov2007, Vol. 54 Issue 11, p3007-3017. 11p. 1 Diagram, 1 Chart, 1 Graph.
Autor:
Yamaguchi, Ken1, Takemura, Yoshiaki2, Osada, Kenichi3, Ishibashi, Koichiro4, Saito, Yoshikazu5
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. Mar2004, Vol. 51 Issue 3, p378-388. 11p.
Conference
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