Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"Takashina, Kei"'
Impurity conduction in phosphorus-doped buried-channel silicon-on-insulator field-effect transistors
Autor:
Ono, Yukinori, Morizur, Jean-Francois, Nishiguchi, Katsuhiko, Takashina, Kei, Yamaguchi, Hiroshi, Hiratsuka, Kazuma, Horiguchi, Seiji, Inokawa, Hiroshi, Takahashi, Yasuo
We investigate transport in phosphorus-doped buried-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors at temperatures between 10 and 295 K. In a range of doping concentration between around 2.1 and 8.7 x 1017 cm-3, we find that a clear peak
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0607806
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Brown, Rosemary, Madrid, Elena, Castaing, Remi, Stone, James M., Squires, Adam M., Edler, Karen J., Takashina, Kei, Marken, Frank
Publikováno v:
ChemElectroChem; May2017, Vol. 4 Issue 5, p1172-1180, 9p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.