Zobrazeno 1 - 10
of 19
pro vyhledávání: '"Tai Mitsuharu"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mutsuko Hatano, Yoshiaki Toyota, Hirotaka Hamamura, Tai Mitsuharu, Mieko Matsumura, Makoto Ohkura
Publikováno v:
ECS Transactions. 8:33-38
The device performance and reliability of the SOI TFTs and the LTPS-TFTs were compared. Changing channel material from single-crystal Si to ELA poly-Si reduces mobility by 75%, and changing gate oxide material from thermal oxide to CVD oxide enhances
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; Nov2003, Issue 1, p36-43, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ohyanagi, Takasumi, Kitamura, Masahito, Tai, Mitsuharu, Kinoshita, Masaharu, Morikawa, Takahiro, Akita, Kennichi, Takaura, Norikatsu
Publikováno v:
ECS Transactions; August 2014, Vol. 64 Issue: 14 p77-81, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hatano, Mutsuko, Matsumura, Mieko, Toyota, Yoshiaki, Tai, Mitsuharu, Hamamura, Hirotaka, Miyazawa, Toshio, Ohkura, Makoto
Publikováno v:
ECS Transactions; October 2006, Vol. 3 Issue: 8 p35-41, 7p
Autor:
Tai, Mitsuharu, Hatano, Mutsuko, Yamaguchi, Shinya, Park, Seong Kee, Noda, Takeshi, Hongo, Mikio, Shiba, Takeo, Ohkura, Makoto
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; June 2003, Vol. 93 Issue: 1 p185-190, 6p