Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Tae-Hee Choe"'
Autor:
Ju-Tae Moon, Kyungwook Lee, Nae-In Lee, Ho-Kyu Kang, Geum-Jong Bae, Tae-Hee Choe, K. Fujihara, Hwa-Sung Rhee, Sang-Su Kim
Publikováno v:
2000 IEEE International SOI Conference. Proceedings (Cat. No.00CH37125).
Fully-depleted silicon-on-insulator (FDSOI) MOSFETs are very attractive for low-voltage applications due to ideal subthreshold slope, short channel effect (SCE) immunity and reduced junction capacitance compared to bulk silicon MOSFETs. However, the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::588f087e5e8c851c956c7a71919d3ed1
https://doi.org/10.1109/soi.2000.892776
https://doi.org/10.1109/soi.2000.892776
Publikováno v:
MRS Proceedings. 448
A novel technique to realize a selectively grown Si epitaxy layer has been developed. This technique consists of deposition of amorphous Si with oxide-free Si surface, selective solid phase epitaxial (SPE) growth on Si windows, and etching of uncryst
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::892428b2a59171ee4607d2b4eff5b294
https://doi.org/10.1557/proc-448-345
https://doi.org/10.1557/proc-448-345
Autor:
Sang-Su Kim, Tae-Hee Choe, Hwa-Sung Rhee, Geum-Jong Bae, Kyung-Wook Lee, Nae-In Lee, Fujihara, K., Ho-Kyu Kang, Ju-Tae Moon
Publikováno v:
2000 IEEE International SOI Conference. Proceedings (Cat. No.00CH37125); 2000, p74-75, 2p
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.