Zobrazeno 1 - 10
of 139
pro vyhledávání: '"Tackeuchi, Atsushi"'
We have demonstrated surface-plasmon induced change in spontaneous emission rate in the ultraviolet regime at ~ 375-380 nm, using AlN/GaN quantum dots (QD). Using time-resolved and continuous-wave photoluminescence measurements, the recombination rat
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0409089
Autor:
Neogi, Arup, Lee, Chang-Won, Everitt, Henry O., Kuroda, Takamasa, Tackeuchi, Atsushi, Yablonovitch, Eli
Using time-resolved photoluminescence measurements, the recombination rate in an In$_{0.18}$Ga$_{0.82}$N/GaN quantum well (QW) is shown to be greatly enhanced when spontaneous emission is resonantly coupled to a silver surface plasmon. The rate of en
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0204150
Autor:
Ji, Lian, Tan, Ming, Ding, Chao, Honda, Kazuki, Harasawa, Ryo, Yasue, Yuya, Wu, Yuanyuan, Dai, Pan, Tackeuchi, Atsushi, Bian, Lifeng, Lu, Shulong, Yang, Hui
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 15 January 2017 458:110-114
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chichibu, Shigefusa F., Azuhata, Takashi, Okumura, Hajime, Tackeuchi, Atsushi, Sota, Takayuki, Mukai, Takashi
Publikováno v:
In Applied Surface Science 2002 190(1):330-338
Autor:
Kuroda, Takamasa, Tackeuchi, Atsushi
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 9/15/2002, Vol. 92 Issue 6, p3071, 4p, 6 Graphs
Publikováno v:
In Physica B: Physics of Condensed Matter 1999 272(1):318-323
Publikováno v:
Electronics & Communications in Japan, Part 2: Electronics. May92, Vol. 75 Issue 5, p25-33. 9p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.