Zobrazeno 1 - 10
of 44
pro vyhledávání: '"Tachiki, Keita"'
In this study, using first-principles calculations, we investigate the behavior of electrons at the SiC/SiO$_2$ interface when nitrogen is introduced as a dopant within a few nm of the SiC surface. When a highly doped nitrogen layer (5$\times$10$^{19
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2303.08527
Autor:
Tachiki, Keita
甲第23905号
工博第4992号
新制||工||1779(附属図書館)
学位規則第4条第1項該当
Doctor of Philosophy (Engineering)
Kyoto University
DFAM
工博第4992号
新制||工||1779(附属図書館)
学位規則第4条第1項該当
Doctor of Philosophy (Engineering)
Kyoto University
DFAM
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/2433/275227
Publikováno v:
Appl. Phys. Express 12 (2019) 031001
We report that annealing in low-oxygen-partial-pressure (low-p$_{\rm O2}$) ambient is effective in reducing the interface state density (D$_{\rm IT}$) at a SiC (0001)/SiO$_{\rm 2}$ interface near the conduction band edge (E$_{\rm C}$) of SiC. The D$_
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1901.05681
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; January 2024, Vol. 71 Issue: 1 p931-934, 4p
Autor:
Tachiki, Keita
付記する学位プログラム名: 京都大学卓越大学院プログラム「先端光・電子デバイス創成学」
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::22cf7e8a6b81d581d1af24b8aa13c5a1
http://hdl.handle.net/2433/275227
http://hdl.handle.net/2433/275227
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kobayashi, Takuma, Okuda, Takafumi, Tachiki, Keita, Ito, Koji, Matsushita, Yu-ichiro, Kimoto, Tsunenobu
Publikováno v:
Applied Physics Express. 13(9)
We report an effective approach to reduce defects at a SiC/SiO2 interface. Since oxidation of SiC may inevitably lead to defect creation, the idea is to form the interface without oxidizing SiC. Our method consists of four steps: (i) H2 etching of Si
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::3f76f3277e3f5689e2fd2d75b627969d
http://hdl.handle.net/2433/254069
http://hdl.handle.net/2433/254069