Zobrazeno 1 - 10
of 29
pro vyhledávání: '"Taboada, Alfonso G."'
Autor:
Falub, Claudiu V., Kreiliger, Thomas, Isa, Fabio, Taboada, Alfonso G., Meduňa, Mojmír, Pezzoli, Fabio, Bergamaschini, Roberto, Marzegalli, Anna, Müller, Elisabeth, Chrastina, Daniel, Isella, Giovanni, Neels, Antonia, Niedermann, Philippe, Dommann, Alex, Miglio, Leo, von Känel, Hans
Publikováno v:
In Thin Solid Films 30 April 2014 557:42-49
Autor:
Gkoumas, Spyridon, Thuering, Thomas, Taboada, Alfonso G., Jensen, Arne, Rissi, Michael, Broennimann, Christian, Zambon, Pietro
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; 1/11/2019, Vol. 10948, p109480V-1-109480V-7, 7p
Autor:
Gilat Schmidt, Taly, Chen, Guang-Hong, Bosmans, Hilde, Gkoumas, Spyridon, Thuering, Thomas, Taboada, Alfonso G., Jensen, Arne, Rissi, Michael, Broennimann, Christian, Zambon, Pietro
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; April 2019, Vol. 10948 Issue: 1 p109480V-109480V-7, 985328p
Autor:
Alonso-Álvarez, Diego, Alén, Benito, Ripalda, José María, Llorens Montolio, José Manuel, Rivera de Mena, Antonio, Taboada, Alfonso G., González Díez, Yolanda, González Sotos, Luisa, Briones Fernández-Pola, Fernando
Publikováno v:
Digital.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
instname
instname
Trabajo presentado a la "31st International Conference on the Physics of Semiconductors" celebrada en Zurich (Suiza) del 29 de julio al 3 de Agosto de 2012.
Epitaxial quantum dot (QD) solar cells need tens if not hundreds of QD layers in order t
Epitaxial quantum dot (QD) solar cells need tens if not hundreds of QD layers in order t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::4e0d18bc34c48b8447ed93fe1d4408c8
http://hdl.handle.net/10261/103459
http://hdl.handle.net/10261/103459
Autor:
Sánchez, A. M., Ripalda, José María, Taboada, Alfonso G., Rivera de Mena, Antonio, Alén, Benito, Fuster, David, González Díez, Yolanda, González Sotos, Luisa, Balakrishnan, G.
Publikováno v:
Digital.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
instname
instname
Trabajo presentado a la 8ª Spanish Conference on Electron Devices, celebrada en Palma de Mallorca (España) en Febrero de 2011.
The growth of metamorphic III-V semiconductors on substrates of dissimilar lattice parameter is of interest for the
The growth of metamorphic III-V semiconductors on substrates of dissimilar lattice parameter is of interest for the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::461c2de4232fcdc089bc52263b78cb28
http://hdl.handle.net/10261/103425
http://hdl.handle.net/10261/103425
Autor:
Alonso-Álvarez, Diego, Alén, Benito, Ripalda, José María, Llorens Montolio, José Manuel, Taboada, Alfonso G., González Sotos, Luisa, González Díez, Yolanda, Briones Fernández-Pola, Fernando, Roldán, M. A., Hernández-Saz, J., Herrera, Miriam, Molina, Sergio I.
Publikováno v:
Digital.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
instname
instname
Trabajo presentado al 16th European Molecular Beam Epitaxy Workshop celebrado en Alpe d'Huez (Francia) del 20 al 23 de Marzo de 2011.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::f8e1c64c36c1b5fca3b9b334ff52ec26
http://hdl.handle.net/10261/103427
http://hdl.handle.net/10261/103427
Autor:
Alonso-Álvarez, Diego, Ripalda, José María, Alén, Benito, Rivera de Mena, Antonio, Taboada, Alfonso G., Llorens Montolio, José Manuel, González Díez, Yolanda, González Sotos, Luisa, Briones Fernández-Pola, Fernando
Publikováno v:
Digital.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
instname
instname
Trabajo presentado en el Nanomaterials for Energy and Environmental Applications, celebrado en España en abril de 2010
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::f73bc48e773020efd8bf45dbecf0a120
http://hdl.handle.net/10261/257161
http://hdl.handle.net/10261/257161
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.