Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"TaON/GeON"'
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 13, Iss 19, p 2673 (2023)
In this work, a dual interfacial passivation layer (IPL) consisting of TaON/GeON is implemented in GaAs metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors with ZrTaON as a high-k layer to obtain superior interfacial and electrical properties. As compared to
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/28f9d1a9ee114d1a96d1caff4683cf59
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.