Zobrazeno 1 - 10
of 225
pro vyhledávání: '"THz frequency"'
Publikováno v:
e-Prime: Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, Vol 9, Iss , Pp 100686- (2024)
This paper introduces an arrangement of a Multiple-Input Multiple-Output antenna array implemented specifically for operating within the THz frequency bands. The antenna is designed for short-distance THz communication links. A quad-port MIMO antenna
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8854b25d0311406b95e49c07aaefd27a
Publikováno v:
Journal of Communications Software and Systems, Vol 20, Iss 1, Pp 23-37 (2024)
The rise of new requirements for future wireless systems is leading to a convergence of communication systems toward very high carrier frequencies, wide bandwidth, and massive antenna arrays. Understanding the properties of terahertz (THz) electromag
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4f75769614714d98be64a8160a21a092
Autor:
Thi Minh Nguyen, Huu Lam Phan, Hong Quang Nguyen, Thanh Nghia Cao, Ngoc Minh Luong, Thi Kim Thu Nguyen, Thi Minh Tam Nguyen, Thi Huyen Thuong Ho, Dinh Lam Vu, Thi Quynh Hoa Nguyen
Publikováno v:
Tạp chí Khoa học, Vol 52, Iss 4A, Pp 28-38 (2023)
A broadband and lightweight polarization converter is proposed for applications in the THz frequency region. The proposed design has a metasurface structure with the dielectric layer modified to a hollow structure to obtain a lightweight design.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e590182f7f78492690325abca3b2d0c3
Autor:
Elaheh Mohebbi, Eleonora Pavoni, Luca Pierantoni, Pierluigi Stipa, Gian Marco Zampa, Emiliano Laudadio, Davide Mencarelli
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 57, Iss , Pp 107415- (2024)
Density functional theory (DFT) calculations have been used to investigate physical–chemical sensing of various proposed interfaces as SnSe@Graphene, SnSe2@Graphene, Graphene@SnSe@Graphene, and Graphene@SnSe2@Graphene, where dispersion corrections
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/649f69f88c6d4570a37750896325ce38
Publikováno v:
East European Journal of Physics, Iss 4 (2023)
This paper presents a comprehensive investigation into the DC analog and AC microwave performance of a state-of-the-art T-gate double barrier AlGaN/AlInGaN/GaN MOSHEMT (Metal Oxide Semiconductor High Electron Mobility Transistor) implemented on a 4H-
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/47e320f505104c7f93810fc76e78b4e4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.