Zobrazeno 1 - 10
of 60 235
pro vyhledávání: '"TFTs"'
Autor:
Gaiotto, Davide, Kim, Heeyeon
We propose a general strategy to build three-dimensional gauge theories with four supercharges which enjoy a supersymmetry enhancement in the IR. The resulting IR SCFTs admit topological twists with particularly nice properties, as well as boundary r
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2409.20393
Autor:
Liu, Zi Chun a, Li, Jia Cheng a, Zhang, Yi Yun b, Yang, Hui Xia a, ⁎, Ma, Yuan Xiao a, ⁎, Wang, Ye Liang a, ⁎
Publikováno v:
In Applied Surface Science 15 March 2025 685
Autor:
Gröne, Jannik, Runkel, Ingo
From the input of an oriented three-dimensional TFT with framed line defects and a commutative $\Delta$-separable Frobenius algebra $A$ in the ribbon category of these line defects, we construct a three-dimensional spin TFT. The framed line defects o
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2406.17336
Autor:
Hofer, Aaron, Runkel, Ingo
Given a not necessarily semisimple modular tensor category C, we use the corresponding 3d TFT defined in [arXiv:1912.02063] to explicitly describe a modular functor as a symmetric monoidal 2-functor from a 2-category of oriented bordisms to a 2-categ
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2405.18038
We study fermionic non-invertible symmetries in (1+1)d, which are generalized global symmetries that mix fermion parity symmetry with other invertible and non-invertible internal symmetries. Such symmetries are described by fermionic fusion supercate
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2405.09754
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yujia Qian, Xishuang Gu, Ting Li, Peixuan Hu, Xiaohan Liu, Junyan Ren, Lingyan Liang, Hongtao Cao
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 10, Iss 11, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract At present, amorphous indium–gallium–zinc oxide (IGZO) semiconductor has become the most commonly used semiconductor material and is widely used in flat panel displays and various sensors, but its performance is greatly affected by envir
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bbb1fa103ff448d6b7a42638ab3afc05
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.