Zobrazeno 1 - 10
of 2 172
pro vyhledávání: '"TCAD tool"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Graphene field-effect transistors (GFETs) are experimental devices which are increasingly seeing commercial and research applications. Simulation and modelling forms an important stage in facilitating this transition, however the majority of GFET mod
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2206.13239
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Advances in Technology Innovation. 7:18-29
In recent years, demands for high speed and low power circuits have been raised. As conventional metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) are unable to satisfy the demands due to short channel effects, the purpose of the study is
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bb354ab26153ac3a0e841c59511f325e
https://doi.org/10.46604/aiti.2021.8098
https://doi.org/10.46604/aiti.2021.8098
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Computational Electronics. 20:2317-2330
In this paper, we propose an n-type double gate junctionless field-effect-transistor using recessed silicon channel. The recessed silicon channel reduces the channel thickness between the underlap regions, results in lowering the number of charge car
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0ffd8dad5af4cdf65d4ab4da7d69c6aa
https://doi.org/10.1007/s10825-021-01774-9
https://doi.org/10.1007/s10825-021-01774-9
Publikováno v:
Sub-Micron Semiconductor Devices ISBN: 9781003126393
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b9f6d1038b8764c2c83e38bd4546ae9d
https://doi.org/10.1201/9781003126393-11
https://doi.org/10.1201/9781003126393-11
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Advances in Robotics, Automation and Data Analytics ISBN: 9783030709167
The proposed work analyzes the Single Event Transients (SETs) in combinational circuits and Single Event Upsets (SEUs) in sequential elements for 16 nm FinFET device structures implemented using Visual TCAD tool. The FinFET CMOS circuits of tradition
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c1b4d714a73e72eeece121577ec7c443
https://doi.org/10.1007/978-3-030-70917-4_20
https://doi.org/10.1007/978-3-030-70917-4_20