Zobrazeno 1 - 10
of 33
pro vyhledávání: '"TCAD modelling"'
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 6, p 719 (2024)
This study focuses on the impact of negative fixed charge, achieved through fluorine (F) implantation, on breakdown voltage (BV) enhancement in vertical GaN Schottky diodes. Several device and implant-related parameters are examined using Synopsys Se
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4938bf9fedd4418e9296ce2a8088c95b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Naydenov, Kaloyan
Thanks to its advantageous electro-thermal properties, 4H-SiC has recently become very attractive as a semiconductor material for various power electronics applications. In particular, SiC power MOSFETs have turned into a serious competitor to more c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::233c83628902576bf25225f1035a1938
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Thomas Bergauer, Marko Dragicevic, Francesco Moscatelli, G.M. Bilei, G.-F. Dalla Betta, Daniele Passeri, Arianna Morozzi, V. Hinger, Serena Mattiazzo
Publikováno v:
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT 958 (2020). doi:10.1016/j.nima.2019.162794
info:cnr-pdr/source/autori:Moscatelli F.; Morozzi A.; Passeri D.; Mattiazzo S.; Dalla Betta G.-F.; Bergauer T.; Dragicevic M.; Hinger V.; Bilei G.M./titolo:Measurements and simulations of surface radiation damage effects on IFX and HPK test structures/doi:10.1016%2Fj.nima.2019.162794/rivista:NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT/anno:2020/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine:/volume:958
info:cnr-pdr/source/autori:Moscatelli F.; Morozzi A.; Passeri D.; Mattiazzo S.; Dalla Betta G.-F.; Bergauer T.; Dragicevic M.; Hinger V.; Bilei G.M./titolo:Measurements and simulations of surface radiation damage effects on IFX and HPK test structures/doi:10.1016%2Fj.nima.2019.162794/rivista:NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT/anno:2020/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine:/volume:958
Radiation damage effects at High Luminosity LHC (HL-LHC) expected fluences and total ionizing doses (TID) will impose very stringent constraints in terms of radiation resistance of silicon detectors. In this work, we address the effects of surface da
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::08dcec82943702c4bc2839f6a5c75626
http://hdl.handle.net/10446/159143
http://hdl.handle.net/10446/159143
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Engineering Research Express. 3:035008
This work presents a comprehensive study on the behaviour and operation of a vertical 1.2 kV 4H-SiC junctionless power FinFET. The increased bulk conduction in the channel of this topology may bring reductions in the channel resistance compared to tr