Zobrazeno 1 - 10
of 49
pro vyhledávání: '"T.W. Pi"'
Autor:
Y. T. Fanchiang, Kai-Jen Chen, Minghwei Hong, J. Kwo, Y. H. Lin, Wei-Chieh Chen, Y.T. Cheng, Chi-Ning Chen, H. Y. Lin, T.W. Pi, C.P. Cheng, Kun-Pei Lin, H.W. Wan, L.B. Young
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 512:223-229
Molecular beam epitaxy (MBE) invented for the growth of compound semiconductors in the 70’s has been successfully extended to the advanced growth of metals, oxides, oxide/semiconductor interfaces and emergent topological materials by our endeavor i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1f506e7ce09484f336f23d854a6a4611
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.02.035
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.02.035
Autor:
L.B. Young, T.W. Pi, W. J. Hsueh, Kun-Pei Lin, T.W. Chang, J. Kwo, Minghwei Hong, Jen-Inn Chyi, Y. H. Lin
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 477:164-168
High quality Y 2 O 3 on GaSb was achieved using both molecular beam epitaxy (MBE) and atomic layer deposition (ALD) with interfacial characteristics studied by in-situ X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and metal-oxide-semiconductor (MOS) electri
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::47233773ade24c269d54ad2726dab452
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.02.038
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.02.038
Autor:
T.W. Pi, J. Kwo, W.C. Lee, Chuen-Song Cheng, Minghwei Hong, C.H. Hsu, H.W. Wan, Kun-Pei Lin, Y.K. Su
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 477:179-182
In-situ molecular beam epitaxy (MBE) Y 2 O 3 films 1–2 nm thick were epitaxially grown on GaAs(001)−4×6 reconstructed surfaces. Despite a large lattice mismatch, the hetero-structure exhibits outstanding thermal stability to 900 °C with excelle
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e00782da5b17fe0db26ea0ccbf47beca
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.11.118
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.11.118
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 477:159-163
Molecular-beam-epitaxy (MBE) and atomic-layer-deposition (ALD) high-κ HfO 2 dielectrics have been in - situ deposited on MBE-grown pristine p - and n -In 0.53 Ga 0.47 As(0 0 1). The HfO 2 /In 0.53 Ga 0.47 As metal-oxide-semiconductor capacitors (MOS
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::259adb159e710c1776640a6d097cb307
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.04.006
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.04.006
Publikováno v:
Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering
Recent development of high κ dielectric oxides on (In)GaAs is reviewed in the fields of electronic structure and electric performance; this includes studies of (In)GaAs surfaces with various surface reconstructions, different orientations, and Indiu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ddd87cdc1a9d897492b67a71e8a572df
https://doi.org/10.1002/047134608x.w3226.pub2
https://doi.org/10.1002/047134608x.w3226.pub2
Autor:
Y. H. Lin, Tsung-Hung Chiang, Y C Lin, C H Wei, Minghwei Hong, J. Kwo, Gunther K. Wertheim, Y. T. Fanchiang, T.W. Pi
Publikováno v:
Nanotechnology. 26:164001
The electronic structure of single-crystal (In)GaAs deposited with tri-methylaluminum (TMA) and water via atomic layer deposition (ALD) is presented with high-resolution synchrotron radiation core-level photoemission and capacitance-voltage (CV) char
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::47e1d723ff59ddc67c90f8b523805394
https://doi.org/10.1088/0957-4484/26/16/164001
https://doi.org/10.1088/0957-4484/26/16/164001
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.