Zobrazeno 1 - 10
of 27
pro vyhledávání: '"T.W. Kan"'
Autor:
H.A.B. Prins, R. Crespo, C. Lungu, S. Rao, L. Li, R.J. Overmars, G. Papageorgiou, Y.M. Mueller, T. Hossain, T.W. Kan, B.J.A. Rijnders, H.I. Bax, E.C.M. van Gorp, J.L. Nouwen, T.E.M.S. de Vries-Sluijs, C.A.M. Schurink, M. de Mendonça Melo, E. van Nood, A. Colbers, D. Burger, R-J. Palstra, J.J.A. van Kampen, D.A.M.C. van de Vijver, T. Mesplède, P.D. Katsikis, R.A. Gruters, B.C.P. Koch, A. Verbon, T. Mahmoudi, C. Rokx
A major barrier towards HIV-1 cure is the presence of a replication-competent latent reservoir that, upon treatment cessation, can spark viral rebound leading to disease progression. Pharmacological reactivation of the latent HIV-1 reservoir with Lat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::efc2398f206022442ec8a689c380c19a
https://doi.org/10.1101/2022.09.23.22280188
https://doi.org/10.1101/2022.09.23.22280188
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
European Urology. 83:S405-S406
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::410bbfd2e7b895443ca2af3c50456cfe
https://doi.org/10.1016/s0302-2838(23)00330-5
https://doi.org/10.1016/s0302-2838(23)00330-5
Publikováno v:
European Urology Open Science. 45:S255-S256
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0a51f810c5e8117b469059f7ee4b12fb
https://doi.org/10.1016/s2666-1683(22)02592-7
https://doi.org/10.1016/s2666-1683(22)02592-7
Autor:
M.P. Scholtes, M. Akbarzadeh, S. Romal, M. Van Dijk, T.W. Kan, T. Mahmoudi, T.C.M. Zuiverloon
Publikováno v:
European Urology. 83:S1696
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::750714800cfd24a12de24c173f2f6e0f
https://doi.org/10.1016/s0302-2838(23)01213-7
https://doi.org/10.1016/s0302-2838(23)01213-7
Publikováno v:
European Urology Open Science. 44:S172
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::769bba1b0dc3350fb37226116ccacb2e
https://doi.org/10.1016/s2666-1683(22)01937-1
https://doi.org/10.1016/s2666-1683(22)01937-1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Materials Research and Technology, Vol 20, Iss , Pp 4624-4629 (2022)
Topological insulators are foreseen to offer promising applications in next generation electronic and optoelectronic devices. However, this is said to be tedious without understanding the underlying factors governing the fabrication and physicochemic
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d6e92e6ada4843a1860f52acd6dbc73f