Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"T.V. Harroun"'
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 15:694-704
This paper presents a channel hot-electron degradation model that is valid for both fixed and time-varying bias conditions. A simple relationship has been derived for the practical case of identical, repetitive pulses. The model uses gate current mea
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::232933b626737373d555edf8089e09d5
https://doi.org/10.1109/jssc.1980.1051457
https://doi.org/10.1109/jssc.1980.1051457
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 26:1849-1850
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::970fb79d293c88239cf8b6132cf6e651
https://doi.org/10.1109/t-ed.1979.19762
https://doi.org/10.1109/t-ed.1979.19762
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.