Zobrazeno 1 - 10
of 38
pro vyhledávání: '"T.S. Kamilov"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Technical Physics. 55:874-876
The growth of manganese silicide films on silicon under the conditions of equilibrium and non-equilibrium diffusion doping of the silicon from the vapor phase is studied for different weight percent of the dopant.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::83cec9229c8feac80820c03685bae477
https://doi.org/10.1134/s1063784210060228
https://doi.org/10.1134/s1063784210060228
Autor:
D.K. Kabilov, M.E. Azimov, S.Kh. Babadjanov, R.Kh. Kamilova, A.S. Orekhov, V. V. Klechkovskaya, T.S. Kamilov, E.I. Suvorova
Publikováno v:
2006 25th International Conference on Thermoelectrics.
The higher manganese silicide (HMS) films were grown in a high-vacuum reactor temperature as a result of interaction of Mn vapour with Si-substrate subsurface layer at the substrate temperature ~ 1040degC. The films have been investigated by electron
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8440a77045fefdb5593b00582a9164d5
https://doi.org/10.1109/ict.2006.331317
https://doi.org/10.1109/ict.2006.331317
Autor:
A.S. Orekhov, V. V. Klechkovskaya, M.E. Azimov, E.I. Suvorova, T.S. Kamilov, D.K. Kabilov, R.Kh. Kamilova
Publikováno v:
2006 25th International Conference on Thermoelectrics.
The silicides are ecologically friendly materials and they have a mechanical stability to corrosion, oxidation, decay and aggressive environments. It is known that a bulk magnesium silicide - Mg2Si demonstrates semiconductor conductivity n-type chara
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bf55aec57eeea94b6531ed8da6071b43
https://doi.org/10.1109/ict.2006.331316
https://doi.org/10.1109/ict.2006.331316
Autor:
I.S. Samiev, D.K. Kabilov, M. Takeda, T.S. Kamilov, R.H. Kamilova, S. Dadamuhamedov, A.S. Orekhov, H.H. Husnutdinova, V. V. Klechkovskaya
Publikováno v:
ICT 2005. 24th International Conference on Thermoelectrics, 2005..
In the last years the great interest of scientists is focused on the study of higher manganese silicide films due to their high thermoelectric properties, good stability at high temperatures and combination with standard silicon planar technology. In
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::50821d99b1748fda176856be02e0d204
https://doi.org/10.1109/ict.2005.1519975
https://doi.org/10.1109/ict.2005.1519975
Autor:
S. Dadamuhamedov, H.H. Husnutdinova, I.S. Samiev, V. V. Klechkovskaya, T.S. Kamilov, D.K. Kabilov
Publikováno v:
ICT 2005. 24th International Conference on Thermoelectrics, 2005..
Higher manganese silicide - MnSi/sub /spl sim/1.7/ was found as semiconducting and can be a promising thermoelectric material for high temperature applications. In this work, we report the growth of continuous higher manganese silicide film formed on
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::957296c22d1e08ed0016b6271ff15312
https://doi.org/10.1109/ict.2005.1519933
https://doi.org/10.1109/ict.2005.1519933
Publikováno v:
ICT 2005. 24th International Conference on Thermoelectrics, 2005..
In this work it was informed about development of the thermoelectric radiation detector based on the multielement structures made of the polycrystalline higher manganese silicide films. The films were grown on a p-type silicon substrate with n-type s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::acfa0441920f4aa8df53965208a1e1d5
https://doi.org/10.1109/ict.2005.1520003
https://doi.org/10.1109/ict.2005.1520003
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.