Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"T.S. Ji"'
Publikováno v:
Solid State Communications. 103:49-54
Zn-doped In0.5Ga0.5P epilayers grown on semi-insulating (1 0 0) GaAs substrates by liquid phase epitaxy (LPE) technique have been investigated using photoluminescence (PL) measurements from 17 K to 300 K. Transitions involving acceptors are identifie
Publikováno v:
Thin Solid Films. 302:270-274
The Burstein—Moss shift was observed for the first time in heavily Te-doped In0.5Ga0.5P epilayers grown by liquid phase epitaxy. The photoluminescence transition energy was calculated using the carrier concentration dependent Fermi energy and the o
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.