Zobrazeno 1 - 10
of 120
pro vyhledávání: '"T.S. Henderson"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 136:1-10
This paper describes the use of tertiarylbutylarsine (TBA) and tertiarylbutylphosphine (TBP) as replacements for arsine and phosphine in MOMBE/CBE for the production of device structures with state-of-the-art performance. The growth system used for t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f96d6721795491d03544229b6ebb7930
https://doi.org/10.1016/0022-0248(94)90376-x
https://doi.org/10.1016/0022-0248(94)90376-x
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 40:1384-1389
Negative differential resistance (NDR) has been observed at room temperature in GaInP/GaAs double-heterojunction bipolar transistors (DHBTs). Both the common-emitter and common-base current-voltage characteristics and their magnetic field dependence
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::afe72f4bf92f7420e7680e393b48454d
https://doi.org/10.1109/16.223696
https://doi.org/10.1109/16.223696
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 116:436-446
This paper describes a study on the use of thermally cracked tertiarybutylphosphine (TBP) and tertiarybutylarsine (TBA) with elemental Ga and In sources for the metalorganic molecular beam epitaxy (MOMBE) growth of the In 0.53 Ga 0.47 As/InP and In 0
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::10217e8d1c1df5c539cd372aae436325
https://doi.org/10.1016/0022-0248(92)90653-z
https://doi.org/10.1016/0022-0248(92)90653-z
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 33:247-258
A precise and effective numerical procedure to model the band diagram of modulation doped multiquantum well heterostructures is presented. This method is based on a self-consistent iterative solution of the Schroedinger equation and the Poisson equat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5717964dd3d01bbe5401306201bee54f
https://doi.org/10.1016/0038-1101(90)90164-a
https://doi.org/10.1016/0038-1101(90)90164-a