Zobrazeno 1 - 10
of 15
pro vyhledávání: '"T.S. Frangulian"'
Autor:
V.F. Stoliarenko, Sung Chul Kim, Byung Moon Jin, Ill Won Kim, Sok Won Kim, T.S. Frangulian, Yoon-Hwae Hwang, V.F. Pichugin
Publikováno v:
Ferroelectrics. 261:263-268
The edge of optical absorption of MgO:LiNbO3 crystal due to ion irradiation shifts toward the shorter wavelength region with increasing Mg concentration. The introduction of Mg into LiNbO3 reduces the density of anti-site defects and changes the char
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. :1203-1206
The effect of the insulator-conductor transition in magnesium oxide crystals implanted with Fe+ ions at doses ranging from 1016 to 1017 ions/cm2 (ion energy 70 keV) was investigated. It was found that the conductive state of MgO does not change on he
Publikováno v:
Proceedings Third Russian-Korean International Symposium on Science and Technology. KORUS'99 (Cat. No.99EX362).
The authors present investigation results of the ion bombardment influence and thermal treatment on the efficiency of the conductive layers formation in LiNbO/sub 3/ crystals. The results indicate the importance of surface stoichiometry and MgO dopin
Autor:
V.F. Stoliarenko, V.F. Pichugin, Sang Bo Bae, Song Hun Kim, Hong Keun Kim, T.S. Frangulian, Ill Won Kim
Publikováno v:
Proceedings KORUS 2000. The 4th Korea-Russia International Symposium On Science and Technology.
Ferroelectric bismuth layer oxide SrBi/sub 2/Ta/sub 2/O/sub 9/ (SBT) thin films were prepared on Pt/Ti/SiO/sub 2//Si substrates by pulsed laser deposition technique. The films were deposited at the substrate temperature of 540/spl deg/C and annealed
Publikováno v:
Proceedings KORUS 2000. The 4th Korea-Russia International Symposium On Science and Technology.
Congruent LiNbO/sub 3/ (LN) and LiNbO/sub 3/+MgO (MLN) crystals belong to the materials with high initial concentration of antisite defects. These defects are charged positively with respect to the lattice, act as deep electron traps and play very im
Publikováno v:
September 1 ISBN: 9783112495346
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::947b748672b095c6bae71e8766eb8d8a
https://doi.org/10.1515/9783112495346-057
https://doi.org/10.1515/9783112495346-057
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.