Zobrazeno 1 - 10
of 544
pro vyhledávání: '"T.P. Chen"'
Publikováno v:
Materials Today: Proceedings. 5:14069-14073
Insulator buffer layer materials, PrBa2(Cu1-xMx)3O7-δ (PBCMO), with M = Al and Ga with different portions were synthesized to improve better buffer-layer materials for fabricating superconducting devices from YBa2Cu3O7-δ (YBCO) superconductor. Neut
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::148916abc58c98cde7cf4b1f98eeea88
https://doi.org/10.1016/j.matpr.2018.02.064
https://doi.org/10.1016/j.matpr.2018.02.064
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 138:108-112
In this work, IGZO ink was prepared by dissolving gallium chloride, indium chloride, zinc acetate dihydrate and monoethanolamine (MEA) in 2-methoxyethanol. Five types of IGZO ink were prepared with different molar ratios of In:Ga:Zn: A(10:1:10), B(10
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c15bbea0fc23d1ef9c81b86e9bc05a4a
https://doi.org/10.1016/j.sse.2017.10.006
https://doi.org/10.1016/j.sse.2017.10.006
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
C.H. Chiu, E.R. Hsieh, O. Cheng, F.L. Li, T.J. Chen, T.P. Chen, C.H. Liu, S.A. Huang, S. Chung
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9a5f0b8630b4bb8324cfd3c5061fafce
https://doi.org/10.7567/ssdm.2019.n-6-06
https://doi.org/10.7567/ssdm.2019.n-6-06
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f91dd74f3a3f527f7cb5209c4ac3011b
https://doi.org/10.7567/ssdm.2018.c-4-05
https://doi.org/10.7567/ssdm.2018.c-4-05
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ced0de7a69824996a5c9367be56d2e04
https://doi.org/10.7567/ssdm.2018.f-3-03
https://doi.org/10.7567/ssdm.2018.f-3-03
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::47d77f4a23b5d9c5d45ef86606fc4ff1
https://doi.org/10.7567/ssdm.2017.ps-15-11
https://doi.org/10.7567/ssdm.2017.ps-15-11