Zobrazeno 1 - 10
of 24
pro vyhledávání: '"T.M. Pradeep"'
Autor:
Vinayakprasanna N. Hegde, K.C. Praveen, T.M. Pradeep, N. Pushpa, John D. Cressler, Ambuj Tripathi, K. Asokan, A.P. Gnana Prakash
Publikováno v:
Nuclear Engineering and Technology, Vol 51, Iss 5, Pp 1428-1435 (2019)
The total ionizing dose (TID) and non ionizing energy loss (NIEL) effects of 100 MeV phosphorous (P7+) and 80 MeV nitrogen (N6+) ions on 200 GHz silicon-germanium heterojunction bipolar transistors (SiGe HBTs) were examined in the total dose range fr
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/19269830f69c4d149f4c670bd2e6d6ad
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 206:108671
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 137:114754
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.