Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"T.L. Doney"'
Autor:
C.E. Schiller, B. Walsh, Herbert L. Ho, S.S. Iyer, Mahender Kumar, B. Messenger, D. Wildrick, Michael D. Steigerwalt, Karen A. Bard, T.L. Doney, P.A. McFarland, S.E. Rathmill, Paul C. Parries, S.E. Chaloux, A. Gasasira, David M. Dobuzinsky
Publikováno v:
IEEE International Electron Devices Meeting 2003.
This paper, for the first time, reports a fully-functional 130 nm trench-based eDRAM (embedded DRAM), built in unpatterned SOI. The functionality of the eDRAM is shown by the test results of: (a) 524 Kb ADM (array diagnostic monitors) macros and (b)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e40b25e57cd6b3a83f4bdd13aec864a2
https://doi.org/10.1109/iedm.2003.1269312
https://doi.org/10.1109/iedm.2003.1269312
Autor:
D. Wildrick, J. Benedict, Michael D. Steigerwalt, D. K. Sadana, B. Walsh, Herbert L. Ho, P.A. McFarland, T.L. Doney, Karen A. Bard, S.L. Maurer, J.D. Lee, D. Pendleton, B. Corrow
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting. Technical Digest (Cat. No.01CH37224).
Reports the successful implementation of a 0.13 /spl mu/m high-performance, silicon-on-insulator (SOI) logic technology to produce a 0.13 /spl mu/m logic-based embedded DRAM (eDRAM) on substrates composed of both bulk Si and SOI or pattern SOI. eDRAM
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ad4cab64541b847054b3574569e84057
https://doi.org/10.1109/iedm.2001.979555
https://doi.org/10.1109/iedm.2001.979555
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.