Zobrazeno 1 - 10
of 15
pro vyhledávání: '"T.J Sheu"'
Publikováno v:
Current Applied Physics. 2:349-353
A high quality 4 ′ -dimethylamino- N -methyl-4-stilbazolium tosylate single crystal with dimension of 7×7×1 mm 3 was grown in this study. The polarized optic microscopy photograph showed that the surface of this crystal was ordered and flat. Thre
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ba0a534c1c9062bd2450715201b4b855
https://doi.org/10.1016/s1567-1739(02)00129-3
https://doi.org/10.1016/s1567-1739(02)00129-3
Publikováno v:
Applied Surface Science. :709-713
Evidence from DLTS and FTIR measurements strongly supports the assertion that the degradation mechanism of ZnS:Mn ACTFEL devices is mainly due to the deep electron trap, Et, which comes from the Mn activators reacting with surface water molecules. Th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cffc3055c348e24aa76ffa6d1fc33b22
https://doi.org/10.1016/s0169-4332(96)00931-2
https://doi.org/10.1016/s0169-4332(96)00931-2
Publikováno v:
1996 International Semiconductor Conference. 19th Edition. CAS'96 Proceedings.
The purpose of this work is to study the relationship between the oxygen-rich concentration and brightness degradation in ZnS:TbOF green A.C. thin-film electroluminescent devices. The results showed that higher oxygen-content (O/Tb>1) in the phosphor
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::61618837a13853c3ecbe3e70c6cc52cb
https://doi.org/10.1109/smicnd.1996.557412
https://doi.org/10.1109/smicnd.1996.557412
Publikováno v:
1996 International Semiconductor Conference. 19th Edition. CAS'96 Proceedings.
Energy-resolved DLTS was utilized to measure the interface electron energy distribution at the insulator-semiconductor interface. The results showed that Ta/sub 2/O/sub 5//ZnS:TbOF has shallower interface state energy distribution and higher averaged
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dcbc079b00b3e9cdbb2dfe93aa23f123
https://doi.org/10.1109/smicnd.1996.557413
https://doi.org/10.1109/smicnd.1996.557413
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.