Zobrazeno 1 - 10
of 43
pro vyhledávání: '"T.G. Ivanov"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2012 Solid-State, Actuators, and Microsystems Workshop Technical Digest.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::103e651ef206dc3838076073b1420b33
https://doi.org/10.31438/trf.hh2012.104
https://doi.org/10.31438/trf.hh2012.104
Autor:
P. Palestri, Isik C. Kizilyalli, A. Pacelli, W. Lin, M.S. Carroll, P.R. Smith, L. Bizzarro, R.W. Johnson, Marco Mastrapasqua, George K. Celler, T.G. Ivanov, C. A. King, M.R. Frei
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 23:145-147
We describe a low fabrication cost, high-performance implementation of SiGe BiCMOS on SOL The use of high-energy implant allows the simultaneous formation of the subcollector and an additional n-type region below the buried oxide. The combination of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6f675001306b88223d4fbf9f3565c60e
https://doi.org/10.1109/55.988819
https://doi.org/10.1109/55.988819