Zobrazeno 1 - 10
of 11
pro vyhledávání: '"T.C. Morse"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 39:1990-1997
It has been observed that radiation-induced threshold voltage shifts, interface trap densities, and channel mobility reductions are dependent on the drawn or coded geometrical sizes of transistors in one radiation-hardened VLSI CMOS technology. In an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1217a52e17c5d44830935eefee8c7f9f
https://doi.org/10.1109/23.211395
https://doi.org/10.1109/23.211395
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures.
This paper describes a CMOS test chip used in evaluation of the integrated circuit design and fabrication capabilities of multiple vendors, for space applications. The test chip and its utilization as a standard evaluation vehicle on the Generic VHSI
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3b0dd6fbe118fc439b4f573858bbf7a0
https://doi.org/10.1109/icmts.1988.672952
https://doi.org/10.1109/icmts.1988.672952
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 34:1635-1640
Parametric data taken from the irradiation of transistors and capacitors has been correlated with integrated circuit response in 1.25 micron technology. Data taken on worst case biased test transistors (+ 5 V static gate bias for n-channel, O V p-cha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a2baedaf06e49812c4e5cb2888f08788
https://doi.org/10.1109/tns.1987.4337528
https://doi.org/10.1109/tns.1987.4337528
Autor:
J.S. Grusynski, A. Amram, K.T. Nakamura, C. E. Barnes, T.C. Morse, T. C. Zietlow, K. T. Wilson
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 35:1662-1666
The postirradiation response of CMOS integrated circuits from three vendors was measured as a function of temperature and irradiation bias. It was found that a worst-case anneal temperature for rebound testing is highly process-dependent. At an annea
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::90e16901ba2ebc04ea3ec2274769df78
https://doi.org/10.1109/23.25517
https://doi.org/10.1109/23.25517
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.