Zobrazeno 1 - 10
of 52
pro vyhledávání: '"T.-C. Cho"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
C.-Y. Yang, P.-J. Sung, M.-H. Chuang, C.-W. Chang, Y.-J. Shih, T.-Y. Huang, D. D. Lu, T.-C. Hong, X.-R. Yu, W.-H. Lu, S.-W. Chang, J.-J. Tsai, M.-K. Huang, T.-C. Cho, Y.-J. Lee, K.-L. Luo, C.-T. Wu, C.-J. Su, K.-H. Kao, T.-S. Chao, W.-F. Wu, Y.-H. Wang
Publikováno v:
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3fe9890c5b040625b4a1b5a87d64943a
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019487
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019487
Autor:
X.-R. Yu, M.-H. Chuang, S.-W. Chang, W.-H. Chang, T.-C. Hong, C.-H. Chiang, W.-H. Lu, C.-Y. Yang, W.-J. Chen, J.-H. Lin, P.-H. Wu, T.-C. Sun, S. Kola, Y.-S. Yang, Yun Da, P.-J. Sung, C.-T. Wu, T.-C. Cho, G.-L. Luo, K.-H. Kao, M.-H. Chiang, W. C.-Y. Ma, C.-J. Su, T.-S. Chao, T. Maeda, S. Samukawa, Y. Li, Y.-J. Lee, W.-F. Wu, J.-H. Tarng, Y.-H. Wang
Publikováno v:
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1b4adde0e41a225ac75a85c151335743
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019507
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019507
Autor:
X.-R. Yu, W.-H Chang, T.-C. Hong, P.-J. Sung, A. Agarwal, G.-L. Luo, C.-T. Wu, K.-H. Kao, C.-J. Su, S.-W. Chang, W.-H. Lu, P.-Y. Fu, J.-H. Lin, P.-H. Wu, T.-C. Cho, W. C.-Yu. Ma, D.-D. Lu, T.-S. Chao, T. Maeda, Y.-J. Lee, W.-F. Wu, W.-K. Yeh, Y.-H. Wang
Publikováno v:
2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::aa851f2d392062a39deed39c595221a1
https://doi.org/10.1109/vlsitechnologyandcir46769.2022.9830316
https://doi.org/10.1109/vlsitechnologyandcir46769.2022.9830316
Autor:
S.-W. Chang, T.-H. Lu, C.-Y. Yang, C.-J. Yeh, M.-K. Huang, C.-F. Meng, P.-J. Chen, T.-H. Chang, Y.-S. Chang, J.-W. Jhu, T.-Z. Hong, C.-C. Ke, X.-R. Yu, W.-H. Lu, M. A. Baig, T.-C. Cho, P.-J. Sung, C.-J. Su, F.-K. Hsueh, B.-Y. Chen, H.-H. Hu, C.-T. Wu, K.-L. Lin, W. C.-Y. Ma, D.-D. Lu, K.-H. Kao, Y.-J. Lee, C.-L. Lin, K.-P. Huang, K.-M. Chen, Y. Li, S. Samukawa, T.-S. Chao, G.-W. Huang, W.-F. Wu, W.-H. Lee, J.-Y. Li, J.-M. Shieh, J.-H. Tarng, Y.-H. Wang, W.-K. Yeh
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6cbb0acb2a1bba95fb9b21e8825d3eaf
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720675
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720675
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.